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电路板为word国打call:中国怒砸180亿造内存

电路板为word国打call:中国怒砸180亿造内存

发布者:管理员   发布时间:2018-01-02

如今,中国正在各个半导体领域切入自己的力量,破除国外垄断,包括CPU微处理器、NAND闪存、OLED屏幕面板等等,DRAM内存也是时候了。


中国芯片设计公司近日发布公告,宣布与合肥市产业投资控股(集团)江苏快3(简称合肥产投)于10月26日签署了《关于存储器研发项目之合作协议》。


双方约定,将在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展300mm晶圆(12英寸)、19nm工艺存储器的研发项目,包括DRAM内存颗粒。


项目总预算约为180亿元人民币,双方产投按照1:4的比例负责筹集。


合作目标是在2018年12月31日前研发成功,实现产品良率(测试电性良好的晶片占整个晶圆的比例)不低于10%。


不过芯片设计方强调,本项目研发阶段设计产能较小,为2000-3000片晶圆每月,尚无法达到批量生产标准,而且中国大陆目前无DRAM产业技术积累,再加上人才引进、知识产权和设备进口等因素影响,研发能否成功存在不确定性。


即使研发成功,良率能否提升、量产能否实现,也仍然存在较大不确定性,从研发成功至量产并形成销售需要长达几年时间。


研发成功后,双方将就提升良率、扩大产能进行进一步探讨。


目前,三星DRAM已大规模采用20nm工艺,并率先量产18nm工艺。SK海力士则以25nm工艺为主,已导入21nm工艺。美光目前以30nm工艺为主,20nm工艺进入良率提升阶段。


电路板行业等行业都应该这样尽力去追求打破国际社会的一些壁垒,追寻自己的屹立之路。
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